Основные направления работы (в рамках направления «микроэлектроника, наноэлектроника и спинтроника»):

1. Разработка низкоразмерных магнитных полупроводниковых структур:
   • двумерные ферромагнитные структуры типа GaAs-AlGaAs квантовых ям с дельта- слоем Mn и повышенной длиной спиновой диффузии;
   • тонкопленочные ферромагнитные системы на основе полупроводников, сильно легированных Mn, с высокой (300 К) температурой Кюри, обеспечивающие эффективную спиновую инжекцию в немагнитный полупроводник;
   • нанокомпозитные структуры на основе ансамблей магнитных переходов в слоях пористого анодного оксида алюминия.
2. Экспериментальные методы и исследование электронных и магнитотранспортных свойств низкоразмерных магнитных структур:
• энергетические и пространственные масштабы электрической и магнитной неоднородности;
• мезоскопические и нелинейные эффекты проводимости;
• спин-зависящие эффекты, аномальный эффект Холла, магнетосопротивление;
• температура Кюри, подвижность носителей заряда, длина спиновой диффузии;
• механизмы спиновой поляризации носителей заряда и их воздействия на электрофизические характеристики систем.

Заведующий лабораторией:

Список сотрудников:

1. Бугаев Александр Степанович, Академик РАН, д.ф.-м.н., заведующий лабораторией
2. Веденеев Александр Сергеевич, д.ф.-м.н., зам.зав.лаб., в.н.с., e-mail: asv335@ire216.msk.su
3. Гордеева Светлана Васильевна, ст.лаборант, мат.ответств.
4. Абачев Абулферз Казанферович, к.ф.-м.н., вед.программист
5. Горский Владимир Борисович, к.ф.-м.н., вед.программист
6. Зеленый Валерий Петрович, к.ф.-м.н., вед.программист
7. Козлов Александр Михайлович, н.с.
8. Раевский Александр Осипович, к.ф.-м.н., с.н.с.
9. Рыльков Владимир Васильевич, д.ф.-м.н., с.н.с.
10. Самовол Татьяна Борисовна, ст.лаборант

Последние публикации:

1. B.A.Aronzon, M.A.Pankov, V.V.Rylkov, E.Z.Meilikhov, A.S.Lagutin, E.M.Pashaev, M.A.Chuev, V.V.Kvardakov, I.A.Likhachev, O.V.Vihrova, A.V.Lashkul, E.Lähderanta, A.S.Vedeneev, P.Kervalishvili. Ferromagnetism of low-dimensional Mn-doped III-V semiconductor structures in the vicinity of the insulator-metal transition. J. Appl. Phys. V.107, Issue 2, 023905-023912 (2010).
2. B.A.Aronzon, V.V.Rylkov, S.N.Nikolaev, V.V.Tugushev, S.Caprara, V.V.Podolskii, V.P.Lesnikov, A.Lashkul, R.Laiho, R.R.Gareev, N.S.Perov, and A.S.Semisalova. Room-temperature ferromagnetism and anomalous Hall effect in Si_1-xMn_x (x ≈ 0.35) alloys. Phys. Rev. B. V.84, 075209-075218 (2011).
3. М.А.Духновский, А.С.Веденеев, В.А.Гудков, А.К.Ратникова, В.В.Рыльков, Ю.Ю.Федоров, А.С.Бугаев. Наноструктурированные слои анодного оксида алюминия на изолирующих подложках. Радиотехника и Электроника, T. 57, № 1, 97-101 (2012).
4. С.Н.Николаев, В.В.Рыльков, Б.А.Аронзон, К.И.Маслаков, И.А.Лихачев, Э.М.Пашаев, К.Ю.Черноглазов, А.С.Семисалова, Н.С.Перов, В.А Кульбачинский, О.А.Новодворский, А.В.Шорохова, О.Д.Храмова, Е.В.Хайдуков, В.Я.Панченко. Высокотемпературный ферромагнетизм Si_1-xMn_x пленок, полученных лазерным напылением с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости. ФТП, Т.46, в.12, 1546-1553 (2012).
5. M.A.Pankov, B.A.Aronzon, V.V.Rylkov, A.B.Davydov, V.V.Tugushev, S.Caprara, I.A.Likhachev, E.M.Pashaev, M.A.Chuev, E.Lähderanta, A.S.Vedeneev, A.S.Bugaev. Pecularities of Hall effect in GaAs/δ/GaAs/In_xGa_1-xAs/GaAs (х » 0.2) heterostructures with high Mn content. Europhys. J. B, V. 85, N6, 206-216 (2012).
6. В.А.Гудков, М.П.Духновский, А.С.Веденеев, А.М.Козлов, В.В.Рыльков, М.П.Темирязева, Ю.Ю.Федоров, А.С.Бугаев. Формирование упорядоченного ансамбля наноцилиндров кобальта в порах анодного оксида алюминия на поверхности GaAs структур. Радиотехника и Электроника, T. 58, № 1, 80–82 (2013).
7. В.А.Гудков, А.С.Веденеев, В.В.Рыльков, М.П.Темирязева, А.М.Козлов, С.Н.Николаев, М.А.Панков, А.Н.Голованов, А.С.Семисалова, Н.С.Перов, М.П.Духновский, А.С.Бугаев. Синтез пространственно упорядоченного ансамбля Сo наноцилиндров в матрице пористого оксида алюминия на поверхности GaAs–структур. Письма ЖТФ, T.39, № 18, 17-24 (2013).
8. Н.И.Ползикова, А.О.Раевский, А.С.Горемыкина «Расчет спектральных характеристик акустического резонатора, содержащего слоистую мультиферроидную структуру» Радиотехника и электроника, Т.58. №.1, 97-104. (2013).
9. В.А.Лузанов, А.С.Веденеев, В.В.Рыльков, А.М.Козлов, С.Н.Николаев, М.П.Темирязева, К.Ю.Черноглазов, А.С.Бугаев. Пленки магнетита на поверхности сапфира, полученные методом диодного высокочастотного реактивного распыления. Радиотехника и Электроника, Т. 59, № 9, 944–946 (2014).
10. Н.И.Ползикова, С.Г.Алексеев, И.М.Котелянский, В.А.Лузанов, А.О.Раевский. «Магнитоупругие взаимодействия в акустическом СВЧ-резонаторе, содержащем эпитаксиальные ферромагнитные пленки на немагнитной подложке», Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та.. № 5. 145324. 1-6 (2014).
11. V.V.Rylkov, A.S.Bugaev, O.A.Novodvorskii, V.V.Tugushev, E.T.Kulatov, A.V.Zenkevich, A.S.Semisalova, S.N.Nikolaev, A.S.Vedeneev, A.V.Shorokhov, D.V.Aver’yanov, K.Yu.Chernoglazov, E.A.Gan’shina, A.B.Granovsky, Y.Wang, V.Ya.Panchenko, S.Zhou. High-temperature ferromagnetism of Si_1–xMn_x (x ≈ 0.5) nonstoichiometric alloys. J. Magn. Magn. Mater., V.383, 39–43 (2015).
12. В.А.Лузанов, А.С.Веденеев, В.В.Рыльков, М.П.Темирязева, А.М.Козлов, М.П.Духновский, А.С.Бугаев. Получение тонких пленок тантала с использованием метода магнетронного распыления. Радиотехника и Электроника, Т. 60, №12, 1251–1253 (2015).
13. С.Н.Николаев, К.Ю.Черноголазов, А.В.Шорохова, Л.С.Паршина, В.А.Леванов, К.И.Маслаков, О.А.Новодворский, В.В.Рыльков. Магнитотранспортные свойства нестехиометрических Si-Mn сплавов с избытком марганца относительно силицидов Mn₄Si₇ и MnSi. Радиотехника и Электроника, 2016 (принята к печати).
14. М.А.Панков, В.В.Рыльков, А.С.Веденеев, А.А.Лотин, А.В.Киселев, А.М.Козлов. Особенности дырочного транспорта в GаAs/d/GaAs/In_xGa_1-xAs/GaAs структурах с высоким содержанием Mn. Радиотехника и Электроника, 2016 (принята к печати).
15. S.N.Nikolaev, A.S.Semisalova, V.V.Rylkov, V.V.Tugushev, A.V.Zenkevich, A.L.Vasiliev, E.M.Pashaev, K.Yu.Chernoglazov, Yu.M.Chesnokov, I.A.Likhachev, N.S.Perov, Yu.A.Matveyev, O.A.Novodvorskii, E.T.Kulatov, A.S.Bugaev, Y.Wang, S.Zhou. Ferromagnetism of Mn_xSi_1-x (x~0.5) films grown in the shadow geometry by pulsed laser deposition method. AIP Advances, V.6, 015020-015033 (2016).
16. К.Ю.Черноглазов, С.Н.Николаев, В.В.Рыльков, А.С.Семисалова, А.В.Зенкевич, В.В.Тугушев, А.Л.Васильев, Ю.М.Чесноков, Э.М.Пашаев, Ю.А.Матвеев, А.Б.Грановский, О.А.Новодворский, А.С.Веденеев, А.С.Бугаев, А.Драченко, Ш.Жoу. Аномальный эффект Холла в поликристаллических пленках Si_1-xMn_x (x»0.5) с самоорганизованным распределением кристаллитов по форме и размерам. Письма ЖЭТФ, Т.103, вып.6, 539-546 (2016).
17. А.П.Леонтьев, И.В.Росляков, А.С.Веденеев, К.С.Напольский. Формирование тонких мембран анодного оксида алюминия и их использование в качестве матриц при темплатном электроосаждении. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 5, 88-94 (2016).
18. А.С.Бугаев, А.С.Веденеев, К.С.Напольский, В.В.Рыльков. «Структурированные нанокомпозиты ферромагнетик/оксид алюминия на поверхности полупроводниковых и изолирующих подложек». Глава в книге «Синтез, строение и свойства металл/полупроводник содержащих наноструктурированных композитов» под редакцией Л.И. Трахтенберга, М.Я. Мельникова, М.: «Техносфера», 2016, (принята к печати).
19. В.В. Рыльков. «Электронный транспорт в Si структурах c малой компенсацией при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении» / Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, М., 2015. – 320 с. /ИРЭ РАН/.
20. А.С.Веденеев, М.П.Духновский, А.К.Ратникова, В.В.Рыльков, Ю.Ю.Федоров, А.С.Бугаев. Способ получения пористого слоя оксида алюминия на изолирующей подложке. Патент РФ №2489768. МПК H01L 21/473. Опубликовано: 10.08.2013. Бюл. №22.

Гранты:

1. Грант № 1.10.16. «Низкоразмерные полупроводниковые структуры с разупорядоченной гетерограницей полупроводник–изолятор: электронные состояния, квантовый транспорт, коллективные явления» по Программе Президиума РАН № 21 «Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов» (2010 – 2011, исполн.)
2. Грант РФФИ № 09-07-00290-а «Низкоразмерные полупроводниковые ферромагнитные наноструктуры для спинтроники» (2009 – 2011, исполн.)
3. Грант РФФИ № 11-02-12243 офи-м 2011 «Акустоэлектронные явления в джозефсоновских переходах» (2011-2012, соисполн.)
4. Грант РФФИ № 11-07-12063-офи-м-2011 «Двумерные композитные наноструктуры магнетик/полупроводник для спинтроники» (2011 – 2012, соисполн.)
5. Грант РФФИ № 11-07-00766- «Разработка компьютеризированных резонансных акустических методов исследования новых материалов и структур» (2011-2013, соисполн.)
6. Грант РФФИ № 12-07-00311-а «Низкоразмерные гибридные системы магнетик/полупроводник для спинтроники» (2012 – 2014, исполн.)
7. Грант № 1.1.1.3. «Низкоразмерные полупроводниковые структуры с разупорядоченной гетерограницей полупроводник–изолятор: электронные состояния, квантовый транспорт, коллективные явления» по Программе Президиума РАН № 24 «Фундаментальные основы технологии наноструктур и наноматериалов» (2012 – 2014, исполн.)
8. Грант РФФИ № 13-07-01006-а, «Акустические исследования мультиферроидных материалов и слоистых магнитоэлектрических структур методами: СВЧ резонансной спектроскопии и тепловых фононов» (2013-2015, соисполн.)
9. Грант РФФИ № 13-07-12087 офи_м «Синтез пространственно упорядоченного ансамбля магнитных нанообъектов на поверхности полупроводниковых структур» (2013 – 2015, соисполн.)
10. Грант РФФИ № 13-07-12416 офи_м «Магнитоэлектрические структуры и материалы для акустоэлектронных устройств обработки информации» (2013-2015, соисполн.)
11. Грант РФФИ № 14-47-03575 р_центр_а «Нанокомпозитные системы для спинтроники на основе ансамблей магнитных переходов в матрице анодного оксида алюминия: синтез и спин-инжекционные эффекты» (2014 – 2016, исполн.)
12. Грант РФФИ № 15-07-04618-а «Планарные структуры на основе ансамблей магнитных наноцилиндров для спинтроники» (2015 – 2017, исполн.)
13. Грант РФФИ № 16-07-01210 а «Акустическая спиновая накачка в магнитоэлектрических резонаторах на объемных акустических волнах СВЧ диапазона для спинтронных устройств обработки и передачи информации» (2016-2018, соисполн.)
14. Грант РФФИ № 16-07-00800-а «Синтез и спин-инжекционные свойства гибридных систем на базе упорядоченного ансамбля магнитных переходов в структурированном нанокомпозите оксид алюминия/ферромагнетик» (2016 – 2018, соисполн.)

Имеющиеся в лаборатории методические и технологические разработки:

1. Прецизионная методика измерения эффекта Холла [«Метод Веденеева» в книге Е.В.Кучис «Гальвано-магнитные эффекты и методы их исследования» М. Радио и Связь. 1990].
2. Методика определения пространственного масштаба электрической (магнитной) неоднородности твердотельных объектов [Б.А.Аронзон, А.С.Веденеев, В.В.Рыльков. Мезоскопические эффекты в области прыжковой проводимости макроскопических квази-2D объектов. ФТП, Т.31, № 6, 648-652 (1997); Б.А.Аронзон, А.С.Веденеев, А.А.Панферов, В.В.Рыльков. Мезоскопические флуктуации проводимости при обеднении встроенного канала полевого транзистора. ФТП, Т.40, № 9, 1082-1086 (2006)].
3. Методика формирования пористых слоев анодного оксида алюминия на изолирующих подложках [А.С.Веденеев, М.П.Духновский, А.К.Ратникова, В.В.Рыльков, Ю.Ю.Федоров, А.С.Бугаев. Способ получения пористого слоя оксида алюминия на изолирующей подложке. Патент РФ №2489768. МПК H01L 21/473. Опубликовано: 10.08.2013, бюл. №22].
4. Методика получения мембран анодного оксида алюминия для синтеза слоев структурированного нанокомпозита [А.П.Леонтьев, И.В.Росляков, А.С.Веденеев, К.С.Напольский. Формирование тонких мембран анодного оксида алюминия и их использование в качестве матриц при темплатном электроосаждении. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 5, 88-94 (2016)].
5. Методика получения тонких (~ 1 нм) сплошных пленок тугоплавких металлов [В.А.Лузанов, А.С.Веденеев, В.В.Рыльков, М.П.Темирязева, А.М.Козлов, М.П.Духновский, А.С.Бугаев. Получение тонких пленок тантала с использованием метода магнетронного распыления. Радиотехника и Электроника, Т. 60, № 12, 1251–1253 (2015)].