• Экспериментальные исследования туннельной проводимости диэлектриков, определение потенциального профиля в тонких и сверхтонких изолирующих слоях МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) – структур.
• Экспериментальные исследования процессов рождения и аннигиляции центров генерации электронно-дырочных пар в полупроводнике при термополевых воздействиях на МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) – структуры со сверхтонкими изолирующими слоями.
• Вольтемкостная и релаксационная спектроскопия пограничных состояний и объемных уровней у гетероконтактов полупроводник/диэлектрик, металл/полупроводник, полупроводник/полупроводник.
• Теоретические и экспериментальные исследования ионной проводимости изоляторов и электронно-ионного взаимодействия у гетерограниц полупроводник/диэлектрик.
• Развитие комплексного методического аппарата научных исследований и физической диагностики гетероструктур полупроводник/диэлектрик, металл/диэлектрик, полупроводник/полупроводник, металл/полупроводник.
• Исследование эффектов, связанных с нарушением равновесной спиновой поляризации при спиновой инжекции током в металлических ферромагнитных и антиферромагнитных переходах.

Лаборатория обладает интеллектуальными и техническими средствами, позволяющими успешно решать стоящие перед ней задачи в сфере изучения электронных свойств границ раздела твердых тел.
Лаборатория активно сотрудничает с организациями электронной промышленности, МИРЭА, МИЭТ, МГУ, МИСиС.

тел. 8(496)565–25–20

е–mail: gvc@ms.ire.rssi.ru

• Афанасьев Михаил Сергеевич – д.т.н., в.н.с.
• Вилков Евгений Александрович – д.ф.-м.н., в.н.с.
• Гольдман Евгений Иосифович – к.ф.-м.н., в.н.с.
• Киселев Дмитрий Александрович - к.ф.-м.н., с.н.с.
• Хмельницкий Роман Абрамович – к.ф.-м.н., с.н.с.
• Нарышкина Валентина Григорьевна – с.н.с.
• Кухарская Надежда Флавиановна – н.с.
• Егоров Евгений Владимирович – н.с.
• Левашов Сергей Александрович - н.с.
• Гуляев Игорь Борисович - к.ф.-м.н., вед. электроник
• Сивов Алексей Алексеевич – вед. электроник,
• Дарвин Дмитрий Олегович – вед. технолог
• Белорусов Дмитрий Александрович – инженер-исследователь,
• Шушарин Иван Андреевич – программист
• Митягина Алла Борисовна – вед. инженер
• Пупина Татьяна Ивановна - инженер
• Веялко Олеся Сергеевна– инженер.

1. Установление зонной структуры сверхтонких изолирующих слоев SiO2 с толщиной в несколько переходных слоев от кремния к окислу.
2. Выявление реакции сверхтонких изоляторов, необходимых для наномасштабных элементов МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) электроники, на термополевые воздействия.
3. Совершенствование методов и средств контроля и прогнозирования надежности базовых элементов наноэлектроники – структур металл-диэлектрик-полупроводник.
4. Теоретическое описание возникновения высокочастотного терагерцового излучения (десятки терагерц) в магнитных гетероструктурах (ФМ, АФМ, тяжелые металлы), наблюдаемое в экспериментах при оптической накачке или при протекании в этих структурах спин-поляризованного тока.

Научная новизна решаемых задач:

Определяется широким использованием прецизионной компьютеризированной измерительной техники и численными методами обработки данных измерений. На этой основе удается наблюдать и интерпретировать ранее неизвестные электрофизические явления, имеющие место на границах раздела твердых тел.

• Форма реального потенциального барьера, создаваемого сверхтонким (менее 5 нм) слоем SiO2, отличается от прямоугольной, типичной для толстых диэлектриков. Его высота меньше, а эффективная масса для туннелирования сквозь него электронов больше, чем в толстом окисле. Существенная толщина переходных слоев ~10 Å с уровнем потенциала, не значительно отличающимся от уровня дна зоны проводимости в кремнии, обеспечивает большие глубины проникновения волновой функции электрона в изолятор.
• Кремниевые структуры металл-диэлектрик-полупроводник со сверхтонким окислом гораздо более «податливы» к полевому и термическому воздействию, чем объекты с толстым изолирующим слоем, − они легче повреждаются, но и быстрее восстанавливаются в исходное состояние при комнатной температуре. Это обусловлено высокой туннельной прозрачностью изолятора, слабо ограничивающего переходы дырок из полупроводника либо полевого электрода на комплексы в диэлектрике, удерживающие водород. В результате при стрессах в структурах со сверхтонким окислом ионы H+, модифицирующие свойства границы раздела Si-SiO2, высвобождаются с ловушек в объеме изолятора интенсивнее, чем в объектах с толстым SiO2.
• Теоретически рассмотрена возможность перестройки частот терагерцевого излучения спин-инжекционного генератора на основе магнитного контактного перехода, образованного контактирующими ферромагнитными металлическими слоями с различной намагниченностью. Также теоретически исследована динамика движения магнитного момента, усредненного по ансамблю неравновесных спин-инжектированных электронов в ферромагнитном переходе, с учетом обменного взаимодействия и взаимодействия с внешним электромагнитным полем, а также с термостатом.

Научно-организационная деятельность:

Регулярные публикации в ведущих отечественных и зарубежных журналах, систематическое участие в международных и российских конференциях по тематике лаборатории.

Основные публикации:

2020 год

1. M.S. Afanasiev, E.I. Goldman, GV. Chucheva, A.E. Nabie, J.I. Huseinov, N.Sh. Aliev. Conductivity of Metal–Dielectric–Semiconductor StructuresBased on Ferroelectric Films. Physics of the Solid State, 2020, V. 62, N. 1, p. 164–167.
2. M.S. Afanas’ev, D.A. Kiselev, S.A. Levashov, A.A. Sivov, G.V. Chucheva. Creation and Investigation of Metal—Dielectric–Semiconductor Structures Based on Ferroelectric Films. Physics of the Solid State, 2020, V.62, N. 3, p.480–484.
3. E.I. Goldman, V.G. Naryshkina, G.V. Chucheva. Electrophysical Properties Investigation of Ba0.8Sr0.2TiO3 Ferroelectric Films in Paraelectric State. Physics of the Solid State, 2020. V. 62, p.1380–1385.
4. M.S. Afanasiev, D.A. Belorusov, D.A. Kiselev, A.A. Sivov .G.V. Chucheva.. Dependence of the Electrophysical Characteristics of Metal–Ferroelectric–Semiconductor Structures on the Field-Electrode Material. Semiconductors, 2020, V. 54, N. 11, p. 1445–1449.
5. E I. Goldman, G V. Chucheva, M.S. Afanasiev, D.А. Kiselev. Changes in the structural and electrophysical properties of Ba0.8Sr0.2TiO3 films with decreasing thickness. Chaos, Solitons & Fractals, 2020, 141, 110315.
6. E.D. Politova, G.M. Kaleva, N.V. Golubko, A.V. Mosunov, N.V. Sadovskaya, D. A. Kiselev, A M. Kislyuk, T.S. Ilina, S.Yu. Stefanovich. Silver niobate doped lead-free perovskite KNN ceramics. IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering, 2020, V.848, p.012072.
7. Д.А. Киселев, М.С. Афанасьев, Д.А. Белорусов, А.А. Сивов, Г.В. Чучева. Создание и исследования МДП и МДМ структур на основе пленок BaxSr1-xTiO3. Сборник тезисов Международной онлайн-конференция «Исследование сегнетоэлектрических материалов российскими учеными Столетие открытия сегнетоэлектричества» (СЭ-100) 17-19 августа 2020.г. Екатеринбург.
8. A.A.Khomich, R.A.Khmelnitsky, Al.V. Khomich. Probing the Nanostructure of Neutron-Irradiated Diamond Using Raman. Spectroscopy Nanomaterials, 2020, V. 10, N. 6, p.1166.
9. E.A. Vilkov S.G. Chigarev. Effect of a Potential Jump in a Magnetic Junction upon Spin Injection by an Electric Current on the Effectiveness of Electromagnetic Wave Radiation. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2020, V. 84, N. 1, p. 61–65.
10. E.A. Vilkov, S.A. Nikitov, O.A. Byshevsky-Konopko, A.R. Safin, L.A. Fomin, S.G. Chigarev. Injectional Equilibrium Spin Polarization in a Magnetic Transition, Taking into Account The Electron Spin Mobility. Journal of Communications Technology and Electronics, 2020, V.65, N. 9, p. 1046–1052.
11. E.A. Vilkov, S.A. Nikitov, O.A. Byshevsky-Konopko, A.R. Safin, L.A. Fomin, S.G. Chigarev. Frequency of Spin-Injection Radiation in the Magnetic Junction as a Function of the Spin Mobility of Electrons. Physics of the Solid State, 2020, V. 62, N. 9, p. 1671–1677.
12. С.Н. Марышев А. В. Моисеев, Е. А. Вилков. Рассеяние магнитоупругой волны полостью в ферромагнетике с вращающимся ферромагнитным цилиндром. Журнал Радиоэлектронки, 2020, N 9.
13. М.С. Афанасьев, Д.А.Белорусов, И.А. Шушарин, Г.В. Чучева. Влияние материала верхнего электрода на электрофизические свойства МДП структур на основе сегнетоэлектрических пленок. Труды XV Всероссийской научной конференции молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика» Саратов–2020. 8-10 сентября. 2020. Саратов, изд. «Техно-Декор», с.37-38.
14. ПанасА.И., Чигарев С.Г., Вилков Е.А., Загорский Д.Л., Черкасов Д.А. Источник электромагнитных волны THz диапазона частот как инструмент исследования микромира экосистем. ПЛЕНАРНЫЙ ДОКЛАД . Материалы XIV международного симпозиума Проблемы экоинформатики Москва, 1-3 декабря 2020. Сборник докладов с.55-60.

2019 год

1. Goldman E.I., Naryshkina V.G., Chucheva G.V. On the Influence of Ionic Polarization of Transistor Si-Structures on the Conductivity of p-Type Channels. Journal of Communications Technology and Electronics, 2019. V.64, № 10, p. 1149–1151.
2. Afanasiev M.S. Kiselev D.A., Levashov, S.A., Sivov A.A., Chucheva G.V. The Effect of Synthesis Temperature on the Microstructure and Electrophysical Properties of BST 80/20 Films. Physics of the Solid State, 2019. V. 61, № 10, p. 1910 – 1914.
3. Goldman E.I., Levashov S.A., Chucheva G.V. Features of the Characteristics of Field-Resistant Silico–Ultrathin Oxide–Polysilicon Structures. Semiconductors, 2019. V. 53, № 4, p. 465–468.
4. Goldman E.I., Kuharskaya N. F., Levashov S.A., Chucheva G.V. Determination of the Parameters of Metal–Insulator–Semiconductor Structures with Ultrathin Insulating Layer from High-Frequency Capacitance–Voltage Measurements. Semiconductors, 2019. V. 53, № 1, p. 42–45.
5. Goldman E.I., Nabiev A., Naryshkina V.G., Chucheva G.V. On the Nature of the Increase in the Electron Mobility in the Inversion Channel at the Silicon–Oxide Interface after the Field Effect. Semiconductors, 2019. V. 53, № 1, p. 85–88.
6. Politova E. D., Golubko N. V., Kaleva G. M., Mosunov A. V., Sadovskaya N. V., Stefanovich S.Yu., Kiselev D. A., Kislyuk A. M., Chichkov M. V., Panda P. K. Structure, ferroelectric and piezoelectric properties of KNN-based perovskite ceramics. Ferroelectrics, 2019. V.538, №1, p.45-51.
7. Chucheva G.V., Goldman E.I., Nabiev A., Naryshkina V.G. The manifestation of rising of the impurity density of states after the field stress in increasing of the effective electron mobility in the inversion channel at the silicon-oxide contact (Conference Paper). Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. V.11022, 2019, Номер статьи 1102215. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018, ICMNE 2018; Zvenigorod; Russian Federation; 1 October 2018 -5 October 2018; Код 146167.
8. Afanasiev M.S., Chucheva G.V., Kiselev D.A. Electric-field-induced domain switching and pinning state in lead-free ferroelectric BST 80/20 film (Conference Paper). Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. V.11022, 2019, Номер статьи 110221C. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018, ICMNE 2018; Zvenigorod; Russian Federation; 1 October 2018 - 5 October 2018; Код 146167.
9. Chucheva G.V., Goldman E.I., Gulyaev Y., V Features of the field damage of ultra-thin insulating layers of the silicon oxide (Conference Paper). Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. V.11022, 2019, Номер статьи 1102216 International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018, ICMNE 2018;Zvenigorod; Russian Federation;1 October 2018 - 5 October 2018; Код 146167.
10. Afanasiev M.S., Egorov V.K., Egorov E V., Kuharskaya N.F., Nabiev A.E., Naryshkina V.G. The Total-Reflection X-Ray Fluorescence Yield Formed by a Waveguide Resonator under Conditions of Ion Beam Excitation. Instruments and Experimental Techniques, 2019. V. 62, № 5, pp. 659–663.
11. V.K. Egorov, E.V. Egorov, M.S. Afanasiev. Element analysis of thin films and liquid dry residue by X-ray and ion beam methods. ournal of Physics: Conference SeriesVolume 1281, Issue 1, 12 August 2019, Номер статьи 01201114th International Conference on Films and Coatings, ICFC 2019; Saint Petersburg; Russian Federation; 14 May 2019 -16 May 2019; Код 151162.
12. V.K. Egorov, E.V. Egorov. Elaboration of pulsed X-ray laser on base of radiation fluxes waveguide-resonance propagation phenomenon. Journal of Physics: Conference Series,V. 2019, 1396, Номер статьи 012013 IOP Publishing.
13. V.K. Egorov, E.V. Egorov, M.S. Afanas’ev. Ion-Beam and X-Ray Methods of Elemental Diagnostics of Thin Film Coatings. Physics of the Solid State, 2019, V. 61, N. 12, p. 2480–2486.
14. Е.В. Егоров, В.К. Егоров, А.А. Котова, С.А. Борисов. Высокоэффективная рентгенофлуоресцентная спектрометрия материалов в условиях полного внешнего отражения потоков в условиях полного внешнего отражения потоков возбуждения, сформированных волноводно-резонансными устройствами. Успехи прикладной физики,2019, Т. 7(4), с.401-430.
15. V.V.Kononenko, A.A. Khomich, A.V. Khomich, R.A. Khmelnitskii, V.M. Gololobov, M.S. Komlenok, A.S. Orekhov, An.S. Orekhov, V.I. Konov. Highly oriented graphite produced by femtosecond laser on diamond. Applied Physics Letters, V.114, Is.25, 251903 (2019). Optics & Laser Technology. V. 117, p.87-93.
16. Афанасьев М.С., Гольдман Е.И., Киселев Д.А., Левашов С.А., Сивов А.А., Чучева Г.В. Влияние температуры синтеза пленок BST 80/20 на их микроструктуру и электрофизические свойства. XIV Всероссийская научная конференция молодых учёных "Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика" Саратов, 17-19 сентября .2019. Сборник трудов XIV Всероссийской конференции молодых ученых. Изд-во: Техно-Декор, с. 144-145.
17. Афанасьев М.С., Егоров Е.В., Егоров В.К., Чучева Г.В. Элементный анализ материалов методами ионно-пучковой диагностики. Двенадцатое ежегодное заседание Научного Совета РАН по физике конденсированных сред и научно-практического семинара «Актуальные проблемы физики конденсированных сред» 29-30 октября 2019 г. Институт физики твёрдого тела РАН, 2019, Научный центр РАН в Черноголовке, 2019, с.7.
18. Афанасьев М.С., Левашов С.А., Киселев Д.А., Сивов А.А., Чучева Г.В. Синтез и электрофизические свойства lead-free тонких пленок на основе сегнетоэлектрических материалов «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники». Материалы 22-й Всероссийской молодежной научной школы-семинара 22-24 октября 2019 года. Ульяновск, УлГТУ, 2019, с.238-240.
19. Политова Е.Д., Калева Г.М., Мосунов А.В., Садовская Н.В., Киселев Д.А., Ильина Т.С., Кислюк А.М., Panda P.K. Диэлектрические и локальные пьезоэлектрические свойства модифицированных керамик на основе ниобата калия-натрия. «Мультиферроики: получение, свойства, применение». Материалы Международной научно-практической конференции, Витебск, Беларусь, 24-27 сентября 2019 года. Минск, «Колорград» 2019, с.15-17.
20. Афанасьев М.С., Гольдман Е.И., Киселев Д.А., Левашов С.А., Сивов А.А., Чучева Г.В., I.K. Bdikin, P. Gautam, B. Singh. Макро- и микроскопические электрофизические свойства тонких пленок на основе lead-free материалов. «Мультиферроики: получение, свойства, применение». Материалы Международной научно-практической конференции, Витебск, Беларусь, 24-27 сентября 2019 года. Минск, «Колорград» 2019, с.62-64.
21. Afanasjev M.S., Luchnikov P.A., Afanasjev S.A., Malakhova O.A., Moyzes B.B. Dielectric Losses in Nanosized Ferroelectric and Diamond-Like Films on SHF. Materials Science ForumVol. 970, p. 41-46 .2019 Trans Tech Publications Ltd, Switzerland.
22. Афанасьев М.С, Чучева Г.В., Набиев А.Э., Гусейнов Дж.И., Гасанов Х.А., Алиев Н.Ш. Диэлектрический отклик сегнетоэлектрических пленок Ba0,8Sr0,2TiO3 на изменение электрического поля. XXV Международная конференция «Оптика и спектроскопия конденсированных сред», Краснодар, 22 сентября – 28 сентября 2019 г. Россия. Материалы конференции, Краснодар, Кубанский государственный университет, с.279-283.
23. Egorov V., Egorov E., Afanas’ev M. Ion beam and X-ray methods for thin film coating diagnostics. Book of abstracts. The International conference on mechanism and non-linear problems of nucleation and growth of crystals and thin films. 1-5 July 2019. Saint-Petersburg: IPME RAS Publication. 2019. p. 19 (oral).
24. Gulyaev Y.V., Chigarev S. G., Panas A.I., Vilkov E. A., Maksimov N. A. Zagorskiy D. L., Shatalov A. S. Generation of terahertz radiation in magnetic junctions based on nanowires. Technical Physics Letters, 2019, V. 45, № 3, p.271-273.
25. E.A. Vilkov, G.M. Mikhailov, S.A. Nikitov, A.R. Safin, M.V. Logunov,V.N.Korenivskii, S.G. Chigarev, L.A. Fomin. Dynamics of Spatially Inhomogeneous Spin Polarization of Nonequilibrium Conduction Electrons in Magnetic Transitions. Physics of the Solid State, 2019, V. 61, N. 6, p. 941–951.
26. А.И. Панас, С.Г. Чигарев, Е.А. Вилков, А.С. Шаталов, Д. А. Черкасов, Д. Л. Загорский. Создание массива нанопроволок с магнитными переходами для генерации излучения терагерцового диапазона. Электронная техника. Сер.1, СВЧ-техника, 2019, Вып. 2 (июнь)(541), с. 8-12.
27. Е.А. Вилков, С.А. Никитов, М.В. Логунов, С.Г. Чигарев. Спиновая поляризации неравновесных электронов проводимости в магнитных переходах. Радиотехника и Электроника, 2019, Т 64, № 12, c. 1228-1237.
28. .В.Г. Криштоп, Л.А. Фомин, Е.А. Вилков, Е.С. Жукова, А.В. Черных. Туннельная структура из магнитного островкового метаматериала как источник ТГц излучения на основе спин-флип переходов. Труды XVI Всероссийской школы-семинара «Физика и применение микроволн» им. профессора А.П. Сухорукова. г. Можайск, Моск. область 26 - 31 мая 2019 г., с.14-17.
29. Е.А. Вилков, Л.А. Фомин, И.В. Маликов, А.В. Черных, С.Г. Чигарев. Модель островковой туннельной структуры - источника ТГц излучения на основе спин-флип переход. Труды XXIII Межд. симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника» 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород, с.154-155.
30. Е.А. Вилков, С.Г. Чигарев. Влияние скачка потенциала в магнитном переходе при спиновой инжекции током на эффективность излучения электромагнитных волн. Труды XVII Всероссийской школы-семинара «Физика и применение микроволн им. проф. А.П. Сухорукова. г. Можайск, Московская область 26 - 31 мая 2019 года, c.19-22.
31. Вилков Е.А., Марышев С.Н, Моисеев А.В. Магнитоупругие волны в щелевой структуре ферромагнитных пленок при их относительном перемещении. III научный форум “Телекоммуникации: теория и технологии” ТТТ-2019, XVII международная научно-техническая конференция “Физика и технические приложения волновых процессов” ФТПВП-2019, Казань, 18 – 22 ноября 2019 Т.3, c.5-8.
32. Е.А. Вилков, М.В. Логунов, С.А. Никитов, С.С. Сафонов, С.Г. Чигарев. Неравновесные спиновые состояния и генерация терагерцового излучения в магнитных гетероструктурах. Тезисы докладов Российская конференция
33. и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) 27-31 мая 2019 г., c.82.
34. Вилков Е.А., Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Панас А.И., Чигарев С.Г., Михайлов Г.М., Маликов И.В., Черных А.В. Твердотельный источник электромагнитного излучения. Патент на изобретение № 2688096 от 20.05.2019.

2018 год

1. Afanas’ev M.S., Kiselev D.A., Levashov S.A., Luzanov V.A., Nabiyev A., Naryshkina V.G., Sivov A.A., Chucheva G.V. The Influence of the Substrate Material on the Structure and Electrophysical Properties of BaxSr1–xTiO3 Thin Films. Physics of the Solid State, 2018, V. 60, № 5, p. 954–957.
2. Gulyaev Yu.V., Goldman E.I., Chucheva G.V. On the stability of ultrathin insulated layers of the silicon oxide to the field damage. Electronic engineering. Series 2. Semiconductor devices. Scientific & technical journal, 2018, № 3 (250), p. 6-12.
3. Afanasyev M., Nabiev A., Chucheva G. Guseinov D. Acquiring MIS Structures Based on Bа0.8Sr0.2TiО3 Ferroelectric Films and their Properties. Key Engineering Materials, 2018, V. 781, p. 20-24.
4. Egorov V.K., Egorov E.V., Afanas’ev M.S. X-ray fluorescence material analysis initiated by high energy proton beams. IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 1121, 2018, p. 012011.
5. Иванов Д.В. Антонов А.С., Сдобняков Н.Ю., Шиманская А.Н., Романовская Е.В., Афанасьев М.С. О «технологических» свойствах наноразмерных пленок никеля и меди. Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур инаноматериалов межвуз. сб. науч. тр. / под общей редакциейВ.М. Самсонова, Н.Ю. Сдобнякова. Тверь: Твер. гос. ун-т, 2018, Вып. 10, 708 с.
6. Егоров В.К., Егоров Е.В., Афанасьев М.С. Анализ материалов в условиях ионно-пучкового возбуждения рентгенофлуоресценции. Труды XV Международной научно-технической конференции «Быстро закалённые материалы и покрытия». c. 255 – 265. (16 – 17 октября 2018г., МАИ, г. Москва, Россия).
7. Afanasiev M.S., Chucheva G.V., Kiselev D.A., Levashov S.A., Sivov A.A. Preparation and ferroelectric properties of BaxSr1-xTiO3 thin film by RF magnetron sputtering. Abstract Book 14th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity “Young scientists school on the spectroscopic studies of critical dynamics at structural phase transitions”. – St. Petersburg, Ioffe Institute, 2018.
8. Afanasiev M.S., Chucheva G.V., Kiselev D.A., Levashov S.A., Sivov A.A. Synthesis and ferroelectric properties of multifunctionalBST thin films. Тезисы докладов Х Межд.научной конф. «Кинетика и механизм кристаллизации. Кристаллизация и материалы нового поколения». Кластер конф..(1–6 июля 2018г., г.Суздаль, Россия). 2018. – Иваново: АО «Ивановский издательский дом», 2018, c. 414.
9. Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Киселев Д.А., Чучева Г.В. Влияние температуры на диэлектрическую проницаемость сегнетоэлектрических структур. Кластер конференций 2018: x межд. научная конф."кинетика и механизм кристаллизации. Суздаль 01-06 июля 2018. Иваново: АО «Ивановский издательский дом», 2018, c. 413.
10. Афанасьев М.С., Киселев Д.А., Левашов С.А., Сивов А.А., Чучева Г.В. Влияние температуры синтеза и материала буферного слоя кремниевых подложек на электрофизические характеристики пленок BаxSr1-xTiО3. Сборник трудов XIII Всероссийской научной конференции молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». – Саратов: Техно-Декор, 2018, c. 170 – 171.
11. Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Набиев А., Нарышкина В.Г., Чучева Г.В. О физической природе повышения проводимости канала инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого стресса. Сборник трудов XIII Всероссийской научной конференции молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». – Саратов: Техно-Декор, 2018. С. 28 – 29.
12. Манафова Э.А. Селезнев Е.П., Сысоев И.В., Чучева Г.В. Измерение характеристик МДП-структур динамическим методом. Сборник трудов XIII Всероссийской научной конференции молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». Саратов: Техно-Декор, 2018. c. 180 – 182.
13. Chucheva G., Goldman E., Nabiev A., Naryshkina V. The manifestation of rising of the impurity density of states after the field stress in increasing of the effective electron mobility in the inversion channel at the silicon-oxide contact. Сборник тезисов международной конференции «Микро- и наноэлектроника – 2018» (ICMNE–2018). – М.: МАКС Пресс, 2018, c.157.
14. Kononenko T.V., Pivovarov P.A., Khomich A.A., Khmelnitskii R.A., Konov V.I. Effect of absorbing coating on ablation of diamond by IR laser pulses. Quantum Electronics. 2018, V. 48, №3, p. 244-250.
15. Белянин А.Ф., Борисов В.В., Багдасарян А.С., Чучева Г.В., Хлопов Б.В. Диэлектрические и магнитные свойства 3D-нанокомпозитов опаловые матрицы – металлы. Наукоемкие технологии. 2018, Т. 19, № 6, c. 38–43.
16. Egorov V.K. Egorov E.V., Loukianchenko E.M. High Effective TXRF Spectrometry with Waveguide-Resonance Devices Application. Aspects in Mining & Mineral Science, 2018, V. 2, № 4, p. 1-23.
17. Egorov V.K., Egorov E.V. Ion Beams for Materials Analysis: Conventional and Advanced Approaches. Ion Beam Applications. / ed. by Ishaq Ahmad. 2018, Chapter 3, p. 37-71.
18. Egorov V.K., Egorov E.V. The phenomenon model X-ray beam angular divergence decreasing formed by composite waveguide-resonator. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, 2018, V. 387, p. 01207-1 – 01207-2.
19. Egorov V.K., Egorov E.V. Function model of the composite waveguide-resonator. Abstracts of the 5th International Conference on X-ray Analysis. 2018, p. 10-14.
20. Егоров В.К., Егоров Е.В., Афанасьев М.С. Анализ материалов в условиях ионно-пучкового возбуждения рентгенофлуоресценции. Труды XV Международной научно-технической конференции «Быстро закалённые материалы и покрытия». c. 255 – 265. 16 – 17 октября 2018г., МАИ, г. Москва, Россия.
21. Afanasiev M.S., Chucheva G.V., Kiselev D.A., Levashov S.A., Sivov A.А. Synthesis and characterization of multifunctional BST thin films. Book of abstracts European Conference on Applications of Polar Dielectrics (ECAPD-2018). c. 105. (25 – 28 June, 2018, Moscow, Russia).
22. Белянин А.Ф., Борисов В.В., Багдасарян А.С., Чучева Г.В., Хлопов Б.В. нанокомпозиты и слоистые структуры: опаловые матрицы-металлы. Материалы XXV научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов «Вакуумная наука и техника». – М.: Новелла, 2018, c. 165-170. (16 – 22 сентября 2018г., г. Судак, Россия).
23. Белянин А.Ф., Борисов В.В., Багдасарян А.С., Чучева Г.В., Хлопов Б.В. Формирование нанокомпозитов на основе опаловых матриц. Сборник трудов 13-й Международной конференции «Вакуумная техника, материалы и технологии». – М.: Новелла, 2018, c. 149–154 (24 – 26 апреля 2018 г., КВЦ «Сокольники», г. Москва, Россия).