Направления научных исследований:

1. Сверхбыстродействующее детектирование оптических сигналов в полупроводниковых структурах на контакте металл-полупроводник.
2. Управление параметрами оптического поля посредством акустооптического взаимодействия.
3. Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводников и полупроводниковых гетероструктур пониженной размерности для опто- и наноэлектроники.
4. Теоретическое исследование распространения звуковых пучков в неоднородных материалах и структурах.
5. Исследование нелинейного распространения электромагнитных волн средней инфракрасной области спектра в многослойных структурах на основе GaAs/AlGaAs включающих тонкие, вплоть до пониженной размерности, слои высоколегированного n⁺GaAs .
6. Исследование распространения электромагнитных волн терагерцовой и субтерагерцовой области спектра в слоистых структурах включающих монослои графена.

1. Сверхбыстродействующее детектирование оптических сигналов в полупроводниковых структурах на основе контакта металл- полупроводник.

В течение ряда лет в нашей лаборатории ведутся исследования принципов построения и особенностей работы сверхбыстродействующих МПМ-фотодетекторов инфракрасного, видимого и ультрафиолетового участков спектра. Основные результаты, полученные в ходе проведения исследований:

1. Исследованы ограничения, обусловленные уменьшением линейных размеров контактов планарного МПМ-диода. В рамках двумерной модели показано, что основная проблема в фотодиодных структурах типа МПМ с малым (доли микрона) межконтактным зазором - малая глубина проникновения электрического поля в активную область диода – приводит к различным скоростям сбора электронов и дырок на контактах и замедленному импульсному отклику фотодетектора. Этот эффект приводит к накоплению заряда и экранированию внутреннего поля диода при больших уровнях энергии оптического возбуждения и, как результат, к искажению сигнала отклика детектора и снижению его эффективности. Найдены условия, при которых эффекты пространственного заряда не оказывают влияние на сигнал импульсного отклика фотодетектора. Результаты анализа получили экспериментальное подтверждение, в том числе и в других исследовательских лабораториях.
2. Предлолжен и исследован новый тип МПМ-фотодиодных структур с характеристическими размерами много меньше длины волны принимаемого оптического излучения. Для уменьшения потерь света при его отражении от контактов и для эффективной локализации излучения в области сильного поля МПМ-диода использовалась наноразмерная встречно-штыревая решетка контактов и брегговский рефлектор. Возбуждение горизонтальных поверхностных плазмонов приводит к эффективному резонансному прохождению светового излучения через решетку контактов с размерами меньше длины волны излучения. Это обеспечивает эффективный сбор фотогенерированных носителей заряда, резонансную чувствительность детектора и его высокое быстродействие. На резонансной длине волны (800 нм) детекторы обладают рекордной внешней квантовой эффективностью (40%), большой широкополосностью (500 ГГц) и высокой спектральной селективностью (Δλ_1/2=17нм) . Квантовая эффективность детектора на порядок превышает эффективность обычного MПM-детектора с подобной геометрией контактов. Низкая плотность темнового тока в исследуемых структурах (J=1 пА/мкм²) позволяет реализовать на их основе высокочувствительные селективные детекторы оптического излучения. Эти исследования выполнены совместно с Национальным Исследовательским Центром Франции (CNRS, Paris).
3. Изготовлены и исследованы селективно-чувствительные солнечно-слепые МПМ-фотодетекторы на основе AlN/AlGaN-гетероструктур. Эпитаксиальные слои AlN/AlGaN выращены методом MOCVD на сапфировых подложках и позволяют осуществить режим подсветки детектора с обратной стороны, предотвращая потери света за счет отражения от контактов. Детекторы обладают низкими значениями темновых токов, а их спектральные чувствительности демонстрируют возможность использования для селективно-чувствительного солнечно-слепого детектирования с максимумом чувствительности на длине волны 240 нм. Детекторы могут использовать высокие рабочие напряжения смещения. Это позволяет сместить энергетический порог экранирования внутреннего поля детектора в область больших значений и увеличить уровень сигнала оптического возбуждегния фотодетектора. Показаны преимущества использования детекторов на основе GaN и его твердых растворах в сравнении с детекторами на GaAs (совместно с лаб.218).
4. На основе гетеросистемы ZnCdS/GaP создан и исследован детектор ультрафиолетового излучения с электрически перестраиваемой спектральной чувствительностью. При низких напряжениях смещения (~20В) его спектральная чувствительность совпадает со спектром эритемного воздействия. При увеличении смещения до 60 В и выше фотодетектор становится широкополосным и способен захватывать область наибольшего воздействия пигментационного излучения. Детектор может быть использован для контроля уровня облученности Солнцем и другими источниками УФ-излучения в диапазоне длин волн 250-450 нм (совместно с лаб.218).
5. Совместно с Royal Observatory of Belgium, Brussels разработаны и исследованы солнечно-слепые AlN-МSM-детекторы с диаметром активной области 1.1-4.3mm, предназначенные для создания на их основе радиометров УФ-излучения. Детекторы обладают высокой чувствительностью, низкой плотностью темновых токов (3-6 pA/cm²) и устойчивы к воздействию потока протонов с энергией 14.4 MeV при плотности потока излучения 1×10¹¹ p+/cm². Коэффициент режекции детекторов (подавление сигнала на длине волны 450 nm по отношению к сигналу на длине волны 200 nm) составляет 5 порядков величины. Детекторы демонстрируют возможность их длительного использования в космическом пространстве без деградации параметров.
6. Исследованы детектирующие свойства периодических наногетероструктур с квантовыми ямами ZnCdS, разделенными барьерными слоями ZnMgS или ZnS. Гетероструктуры выращены на полуизолирующих подложках GaP методом MOVPE. На их основе изготовлены МПМ-диоды с шириной встречно-штыревых контактов с барьером Шоттки и расстоянием между ними 3 мкм при общей площади детектора 100х100 мкм². При низких напряжениях смещения детекторы обеспечивают узкополосный отклик (FWHM=18 нм на длине волны 350 нм), определяемый составом квантовой ямы ZnCdS. При увеличении смещения до 70 В наблюдается сдвиг максимальной чувствительности детектора на длину волны 450 нм, обусловленный проникновением электрического поля внешнего смещения в полуизолирующую GaP подложку, при этом узкополосный отклик детектора на длине волны 350 нм сохраняется, то есть обеспечивается двухцветное детектирование светового излучения. Высокая селективность созданных фотодиодных структур позволяет разделять оптические каналы по длинам волн и повысить динамический диапазон и помехозащищенность информационных и измерительных систем (совместно с лаб.218).

Основные публикации по данному направлению исследований:

1. S.V.Averine, R.Sachot Transit-time considerations in metal-semiconductor-metal photodiode under high illumination conditions, Solid-State Electronics, vol. 44, N 9, pp.1627-1634, 2000.
2. S. Averine, Y.C. Chan, Y.L. Lam Evaluation of Schottky contact parameters in metal-semiconductor-metal photodiode structures, Applied Physics Letters, vol.77, N2, pp.274-276, 2000.
3. S.V.Averine, R.Sachot Effect of high space-charge fields on the impulse response of metal-semiconductor-metal photodiode, IEE Proc. Optoelectronics, vol.147, N 3, pp.145-150, 2000.
4. Averin S., Sachot R., Hugi J., de Fays M., Ilegems M. Two-dimensional device modeling and analysis of GaInAs metal-semiconductor-metal photodiode structures. Journal of Applied Physics, 1996, v.80, N 3, pp.1553-1558.
5. S.V. Averine, Y.C. Chan, Y.L. Lam “Geometry optimization of interdigitated Schottky-barrier metal-semiconductor-metal photodiode structures”, Solid State Electronics, Vol.45, No 3, pp.441-446, 2001.
6. S. Averine, O. Bondarenko, R. Sachot “High-speed limitations of the metal-semiconductor-metal photodiode structures with submicron gap between the interdigitated contacts”, Solid State Electronics, Vol.46, N 12, pp.2045-2051, 2002.
7. С.В. Аверин, Р. Сашо «Быстродействующие фотодетекторы: сравнительный анализ планарной структуры и структуры с углубленными контактами», Радиотехника и электроника, т. 48, №10, с. 1261-1269, 2003. С.В.Аверин, Р. Сашо «Быстродействующие фотодетекторы: сравнительный анализ планарной структуры и структуры с углубленными контактами», Радиотехника и электроника, т. 48, №10, с. 1261-1269, 2003.
8. С.В. Аверин, П.И. Кузнецов, В.А. Житов, Л.Ю. Захаров, Г.Г. Якущева М.Д. Дмитриев «Быстродействующие детекторы ультафиолетового излучения, Радиотехника и электроника, т.50, № 3, 2005, 394-398.
9. P.I. Kuznetzov, S.V. Averine “AlGaN based UV metal-semiconductor-metal photodetectors”, Abstracts of First Russia-Taiwan Joint Symposium on III-Nitride Semiconductors, Physics and Device Applications, St.Petersburg, Russia, June 22-24, 2005, p.26.
10. С.В.Аверин «Импульсный отклик МПМ-фотодиода с гетеробарьером». ЖТФ, т.74, № 6, 2004, С.51-56.
11. S.V. Averine, P.I. Kuznetzov, V.A. Zhitov, N.V. Alkeev, V.E .Lyubchenko “Solar-blind MSM-photodetectors on AlGaN/GaN heterostructures grown by MOCVD”, in Proceedings 16th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications (Mikon 2006), Poland, Krakow, May 22-24, 2006, pp.185-188.
12. St. Collin, F. Pardo, S. Averin, N. Bardou, J-L. Pelourd. “Efficient light confinement and absorption in metal-semiconductor-metal nanostructures”, Technical Digest of First Topical Meeting on Nanostructures and Metamaterials”, 9-11 January 2007, Seefeld, Tirol, Austria.
13. S.V. Averin, P.I. Kuznetzov, V.A. Zhitov, N.V. Alkeev “Solar-blind MSM Photodetectors Based on AlGaN Heterostructures”, Optical and Quantum Electronics, Vol. 39, issue 3, pp.181-192, 2007.
14. S.V .Averin, V.E. Lyubchenko “Evaluation of the Schottky Barrier Parameters in the Micron-Size Metal-Semiconductor-Contacts”, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol.17, issue 11, November 2007, pp.787-789.
15. St. Collin, F. Pardo, St. Averin, N. Bardou, J.-L. Pelouard, “Efficient light absorption in the high-speed metal-semiconductor-metal nanostructures”, Proceeding of 16th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Vladivostok, Russia, July 14-18, 2008, pp.131-132.
16. S.V. Averin, P.I. Kuznetzov, V.A. Zhitov, N.V. Alkeev “Solar-blind MSM-photodetectors based on AlGaN/GaN heterostrutures grown by MOCVD”, Solid-State Electronics, v.52, pp.618-624, 2008.
17. St. Collin, F. Pardo, S. Averin, N. Bardou, J.-L. Pelouard, CNRS, Marcoussis, France “Harvesting Light at the Nanoscale: Giant Light Absorption and Collection Efficiency in GaAs-Gold Nanowires Arrays”, Wedbesday 23 September 2009, oral presentation, section 1CO.10 New Materials, Cells and Modules. 6thEuropean PV Industry Forum, 23 September 2009. Presented at 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Hamburg, Germany 21-23 September, 2009. 1 page abstract+3 explanatory pages.
    http://www.photovoltaic-conference.com
18. St. Collin, F. Pardo, St. Averin, N. Bardou, J.-L. Pelouard “High-Speed and Efficient Metal-Semiconductor-Metal Nanostructures”, Abstracts of Nanotoday 2009 Conference, August 2-5, 2009, Biopolis, Singapore, paper P-4.
19. С. Коллин, Ф. Пардо, С.В. Аверин, Н. Бардо, Ж.-Л. Пелар, Высокоэффективные быстродействующие МПМ-фотодетекторы, Квантовая электроника, 2010, 40(5), 421-424.
20. С.В. Аверин, П.И. Кузнецов, В.А. Житов, Н.В. Алкеев, В.М. Котов, А.А. Дорофеев, Н.Б. Гладышева «Гетероструктуры AlN/AlGaN для селективно-чувствительных MSM-детекторов ультрафиолетовой части спектра». Журнал технической физики, т.81, вып. 2. (2011) стр.138-140.
21. St. Collin, F. Pardo, N. Bardou, A. Lemaitre, St. Averin, J.-L. Pelouard “Harvesting light at the nanoscale by GaAs-gold nanowire arrays”, Optics Express, V.19, No 18, 29 August 2011, pp.17293-17297.
22. С.В. Аверин, П.И. Кузнецов, В.А. Житов, Н.В. Алкеев, В.М. Котов, Л.Ю. Захаров, Н.Б. Гладышева МПМ-фотодиоды на основе широкозонных гетероструктур ZnCdS/GaP, Журнал технической физики, 2012, том 82, вып. 11, стр.49-53.
23. A. BenMoussa, A. Soltani, T. Saito, S. Averin, J-C Gerbedoen and J.C. De Jaeger: “Developments and characterization of wide band gap photodetectors for EUV Solar Observations”. IUMRS-ICEM2012, 23-28/09 2012, Yokohama, Japan.
24. Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Алкеев Н.В. МПМ-фото-детектор ультрафиолетового излучения с электрически перестраиваемой спект-ральной чувствительностью, Радиотехника и электроника, 2013, №3, стр.309-312
25. S. Averin, P. Kuznetzov,V. Zhitov, L. Zakharov, N. Alkeev, and N. Gladisheva Selectively-sensitive-metal-semiconductor-metal photodetectors based on AlGaN/AlN and ZnCdS/GaP heterostructures, Phys. Status Solidi C 10, No. 3, 298–301 (2013) / DOI 10.1002/pssc.201200631
26. A. Ben Moussa, A. Soltani, J.-C Gerbedoen, T. Saito, S. Averin, S. Gissot B. Giordanengo, G. Berger, U. Kroth, J.-C. De Jaeger, A. Gottwald Developments, characterization and proton irradiation damage tests of AlN detectors for VUV solar observations, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 312 (2013), pp.48-53.
27. Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Алкеев Н.В., Котов В.М. Электрически перестраиваемый фотодетектор эритемного и пигментационного излучения, 23 Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (CRIMICO 2013) 9-13 сентября 2013 года, Севастополь, Крым, Украина, материалы конференции стр. 1087-1088
28. С.В. Аверин, П.И. Кузнецов, В.А. Житов, Л.Ю. Захаров, В.М. Котов, Н.В. Алкеев, М.П. Темирязева, Н.Б. Гладышева МПМ-детектор ультрафиолетового излучения на основе низкоразмерной гетероструктуры ZnCdS/ZnMgS/GaP . Нанотехника №2(38), 2014, стр.10-12.
29. С.В. Аверин, П.И. Кузнецов, В.А. Житов, Л.Ю. Захаров, В.М. Котов, Н.В. Алкеев, Н.Б. Гладышева. Двухцветный фотодетектор ультрафиолетового излучения на основе низкоразмерной гетероструктуры ZnCdS/ZnMgS/GaP. Радиотехника и электроника Т.60, №4, с.433-436 (2015).
30. S.V. Averin, P.I. Kuznetzov, V.A. Zhitov, L.Yu. Zakharov, V.M. Kotov, N.V. Alkeev Electrically tunable spectral responsivity in metal-semiconductor-metal photodetectors based on low-dimensional ZnCdS/ZnMgS/GaP, ZnCdS/ZnS/GaP heterostructures, Solid State Electronics V.114, pp. 135-140 (2015).
31. С.В. Аверин, П.И. Кузнецов, В.А. Житов, Л.Ю. Захаров, В.М. Котов, Н.В. Алкеев, Н.Б. Гладышева. Селективное детектирование УФ-излучения на основе низкоразмерных гетероструктур ZnCdS/ZnMgS/GaP и ZnCdS/ZnS/GaP. Физика и техника полупроводников, том 49, вып. 11, с.1441-1447 (2015).
32. S.V. Averin, P.I. Kuznetzov, V.A. Zhitov, L.Yu. Zakharov, V.M. Kotov, N.V. Alkeev Wavelength selective UV/visible metal-semiconductor-metal photodetectors // Optical and Quantum Electronics, V. 48, N5, paper 303 (2016).
33. Кузнецов П.И., Аверин С.В., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М. МПМ детектор видимого диапазона длин волн на сверхрешетке ZnSe/ZnTe второго типа // Физика и техника полупроводников, 2017, т.51, вып.2, с.258-262.
34. С. В. Аверин, П. И. Кузнецов, В. А. Житов, Л. Ю. Захаров, В. М. Котов. Многоцветный фотодетектор на основе гетероструктуры ZnSe/ZnTe/GaAs// Квантовая Электроника, 2018, Том 48, N 7, с. 675-678.
35. С. В. Аверин, П. И. Кузнецов, В. А. Житов, Л. Ю. Захаров, В. М. Котов, Н. В. Алкеев «МПМ-детектор видимого диапазона на сверхрешетке ZnSe/ZnTe второго типа» // ХХ Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, 14 -18 марта, 2016 г. Издательство Нижегородского госуниверситета им.Н.И. Лобачевского, 2016 г. т.2, секция 3, стр. 456-457.
36. Кузнецов П.И., Аверин С.В., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М. Наноструктуры ZnSe/ZnTe/GaAs для селективно-чувствительного детектирования видимой части спектра // VI Всероссийская конференция по наноматериалам с элементами научной школы для молодежи НАНО 2016, 22-25 ноября, Москва, ИМЕТ РАН, сборник материалов, стр. 544-545.
37. П.И. Кузнецов, С.В. Аверин, В.А. Житов, Л.Ю. Захаров, В.М. Котов. Фотодетектор видимой части спектра на основе сверхрешетки ZnSe/ZnTe // VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике, Москва, 1-3 февраля 2017г, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», сборник трудов с. 382-383, 2017 г.
38. С. В. Аверин, П. И. Кузнецов, В. А. Житов, Л. Ю. Захаров, В. М. Котов. Электрические, оптические и спектральные характеристики ZnSe/ZnTe/GaAs гетероструктуры и МПМ-фотодетекторы на ее основе // VII Международная конференция по фотонике и информационной оптике, Москва, 24-26 января 2018г, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», сборник трудов с. 396-397, 2018 г.
39. Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М МПМ-фотодетектор на основе гетероструктуры ZnSe/ZnTe/GaAs для видимой и инфракрасной части спектра // ХХV Международная конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, с. 570-573.
40. S.V. Averin, P.I. Kuznetzov, V.A. Zhitov, L.Yu. Zakharov, V.M. Kotov, Structural, electrical and optical characteristics of type-II ZnSe/ZnTe/GaAs superlattice and MSM-photodetector on their base, 1st International Symposium on Quantum Science and Technology, 24-26 June 2018, Aberdeen, United Kingdom, https://conferences-nscj.co.uk/abstract/files/11/abstract/qt01_A1032.pdf, https://quantum.nscj.co.uk/sessions/Benioff.html
41. С. В. Аверин, П. И. Кузнецов, В. А. Житов, Л. Ю. Захаров, В. М. Котов: Двухцветный фотодетектор видимой части спектра на основе брэгговского рефлектора ZnSe/ZnS/GaAs // Радиотехника и электроника, 2019. т.64, № 10, с.1038-1042.
42. Averin, S.V., Kuznetzov, P.I., Zhitov, V.A. Zakharov, L.Yu., Kotov, V.M. MSM-photodetector with ZnSe/ZnS/GaAs Bragg reflector // Opt Quant Electron Vol. 52, issue 2, paper 93 (2020). https://doi.org/10.1007/s11082-020-2213-1
43. С.В. Аверин, П.И. Кузнецов, В.А. Житов, Л.Ю. Захаров, В.М. Котов. Двухцветный фотодетектор видимой части спектра на основе брэгговского рефлектора Фотодетектор видимой части спектра на основе сверхрешетки ZnS/ZnSe // VIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике, Москва, 23-25 января 2019 г, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», сборник трудов с. 599-600, 2019 г.
44. С.В. Аверин, П.И. Кузнецов, В.А. Житов, Л.Ю. Захаров, В.М. Котов. Узкополосный МПМ-детектор видимой части спектра на основе гетероструктуры ZnCdSe/ZnSSe/GaAs // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике, Москва, 29-31 января 2020 г, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», сборник трудов с. 425-426, 2020 г.

2. Управление параметрами оптического излучения посредством акустооптического взаимодействия.

2.1. Управление многоцветным лазерным излучением посредством АО взаимодействия с одной акустической волной.

Развита методика расчета условий брэгговского синхронизма двух-, трех- и четырехцветного оптического излучения с одной акустической волной. Выявлено, что для двухцветного излучения всегда можно найти условие синхронизма между излучением с любыми наперед заданными длинами волн монохроматических составляющих и акустической волной, причем это можно сделать несколькими способами. Для трех- и четырехцветных излучений строгий синхронизм для произвольных длин волн обеспечить нельзя. Дифракцию трех- и четырехцветного излучений с произвольными длинами волн можно осуществить только в режимах с фазовой расстройкой. Разработаны алгоритмы, позволяющие отыскивать режимы с минимальными фазовыми расстройками. Предложенные методы являются оригинальными, открывающими широкие возможности для создания устройств управления многоцветным лазерным излучением. Работы по этому направлению продолжаются и в настоящее время.
По материалам исследования подготовлена и опубликована монография.

Основные публикации по данному направлению исследований:

• Котов В.М. Двухцветное расщепление в анизотропных кристаллах, обладающих гиротропией. // ЖТФ. 1992. Т.62, В.8. С. 95-101.
• Котов В.М. Дифракция двухцветного излучения на одной акустической волне в одноосных кристаллах // ЖТФ. 1996. Т.66, В.5. С. 99-107.
• Котов В.М. Коллинеарное взаимодействие двухцветного излучения в двуосных кристаллах // ЖТФ. 1999. Т.69, В.1. С. 131-132.
• Котов В.М., Шкердин Г.Н., Тихомиров С.А., Уласюк В.Н. Многофункциональный акустооптический расщепитель двухцветного излучения. // Приборы и техника эксперимента. 2011. № 1. С.112-117.
• Котов В.М., Шкердин Г.Н., Котов Е.В., Тихомиров С.А. Полоса частот акустооптического расщепителя двухцветного излучения.// Прикладная физика. 2011. №4. С.20-25.
• Котов В.М., Шкердин Г.Н., Уласюк В.Н. Брэгговская дифракция многоцветного излучения в кристалле парателлурита.// Радиотехника и электроника. 2011. Т. 56, №11. С. 1370-1376.
• Котов В.М. Модуляция многоцветного излучения Ar-лазера на основе акустооптической дифракции в кристалле парателлурита. //Прикладная физика. 2014. №2. С. 69-71.
• Котов В.М. Модуляция многоцветного излучения Ar-лазера на основе акустооптической дифракции в кристалле парателлурита. //Успехи прикладной физики. 2014. Т.2. №2. С. 177-181.
• Котов В.М. Акустооптическая модуляция многоцветного излучения с пропорциональным изменением интенсивности световых волн.// Прикладная физика. 2014. №6. С. 5-8.
• Котов В.М. Дифракция трехцветного излучения на одной акустической волне // КЭ. 2015. Т.45. В. 7. С. 654-657.
• Котов В.М. Брэгговская дифракция трехцветного излучения в кристалле парателлурита // Акуст. Журн. 2015. Т.61. № 6. С. 701-704.
• Котов В.М., Аверин С.В., Воронко А.И., Кузнецов П.И., Тихомиров С.А., Шкердин Г.Н., Булюк А.Н. Акустооптическая дифракция многоцветного излучения Ar лазера в кристаллическом кварце// КЭ. 2015. Т.45. В. 10. С. 942-946.
• В.М. Котов, Г.Н. Шкердин, А.Н. Булюк, А.И. Воронко, С.А. Тихомиров . Брэгг