• низкоразмерные электронные системы: электронная структура, коллективные возбуждения, транспортные свойства
• электронные системы с сильным спин-орбитальным взаимодействием, топологические изоляторы
• сильно коррелированные электроны, механизмы кулоновского спаривания
• спиновый и спин-зависимый транспорт электронов
• связанные квантовые состояния, примеси и дефекты.

 В.А. Сабликов, д.ф.-м.н.,  главный научный сотрудник  тел.: +7(496)5652680,   e-mail: sablikov@gmail.com, sablikov@ms.ire.rssi.ru

• Гиндикин Яков Владимирович, к.ф.-м.н., с.н.с.
• Сабликов Владимир Алексеевич, д.ф.-м.н., г.н.с.
• Суханов Алексей Алексеевич, к.ф.-м.н., в.н.с.
• Ткач Юрий Яковлевич, д.ф.-м.н., в.н.с.

Основные результаты последних лет

Решена задача двух тел для двумерных электронных систем с двухзонным спектром в рамках модели Берневига-Хьюза-Жанга, которая описывает как тологическую фазу, так и топологически тривиальное состояние. Установлено, что при взаимодействии друг с другом электроны образуют связанные состояния, энергия которых лежит в щели одночастичного спектра. Механизм спаривания электронов интерпретируется, как результат образования отрицательной приведенной эффективной массы при формировании устойчивых электронных конфигураций, которые представляют собой суперпозиции состояний электронной и дырочной подзон. Исследованы спектры связанных состояний и их электронная структура. Состояния классифицируются по спину, как состояния синглетного и триплетного типа. По псевдоспину (который определяет вклады состояний электронной и дырочной подзон в сформированное связанное состояние) состояния четко классифицируются при небольшом потенциале межэлектронного взаимодействия на формирующиеся в основном электронами, находящимися в одной подзоне, и электронами из разных подзон. Выяснено, что инверсия электронной и дырочной подзон в топологической фазе, во-первых, сильно способствует спариванию электронов, а во-вторых, приводит к возникновению новых состояний с большей энергией связи. На рисунке, для примера, приведены спектры связанных состояний в топологической фазе при таком параметре гибридизации электронной и дырочной зон, когда электронный спектр вблизи экстремумов зонного спектра почти плоский.

Предложен механизм спин-орбитального взаимодействия (СОВ), создаваемого зарядами изображения, которые электроны изучаемой низкоразмерной системы наводят в близко расположенном проводнике (затворе). Детально рассматривается одномерная или квазиодномерная электронная система, связанная электростатически с затвором. Этот механизм СОВ интересен тем, что величина взаимодействия непосредственно связана с плотностью электронов. Величина СОВ растет пропорционально электронной плотности, вследствие чего в системе имеется положительная обратная связь между флуктуациями электронной плотности и энергией СОВ, которая при определенных условиях приводит к неустойчивости системы. Этот вывод подтверждается исследованием коллективных мод. В одномерной системе имеются две коллективные моды, одна из которых при достаточно большом параметре СОВ становится неустойчивой, как это видно из спектра этой моды, показанного на рисунке для разных. Частота становится мнимой в длинноволновой части спектра, когда больше критического значения.

Развита теория оптического внутрищелевого поглощения в двумерном топологическом изоляторе, содержащем структурные дефекты с короткодействующим потенциалом. Такие дефекты имеют два связанных состояния, одно из которых формируется в основном состояниями электронной подзоны, а другое – дырочной. Найдено, что вследствие внутрицентровых переходов между этими состояниями образуется специфическая для топологического изолятора структура пиков в спектрах поглощения. В зависимости от вида функции распределения дефектов по амплитуде их потенциала имеются два или три пика поглощения. Их положение определяется параметром гибридизации и асимметрией электронной и дырочной подзон.

Найдено, что электронные состояния, создаваемые немагнитными дефектами в топологических изоляторах радикально отличаются от состояний в топологически тривиальных кристаллах. Физическая причина этого различия, как установлено, состоит в том, что в топологических изоляторах имеются два механизма образования связанного состояния. Один связан с локализацией частицы (из электронной или дырочной подзоны) в притягивающем потенциале. Другой обусловлен образованием краевого состояния вокруг дефекта. Если потенциал центра является короткодействующим, то благодаря этим двум механизмам образуются два состояния, отличающиеся пространственным распределением электронной плотности. В одном состоянии электронная плотность достигает максимума в центре, а в другом – имеет минимум. Интересно также, что связанные состояния формируются как положительным, так и отрицательным потенциалом дефекта. При взаимодействии связанных состояний с краевыми геликоидальными состояниями образуются краевые состояния, обтекающие дефект. Они объединяют в себе как краевые состояния, так и резонансные (квазисвязанные) состояния вблизи дефекта.

Распределение электронной плотности в краевых состояниях, обтекающих дефект, с максимум и минимумом плотности на дефекте.
Распределение плотности тока в краевых состояниях, обтекающих дефект. Векторное поле тока показывает геликоидальную структуру.
При определенных условиях, когда два резонанса близки к вырождению, их взаимодействие приводит не только к расталкиванию энергии резонансов, но и к образованию геликоидального связанного состояния с энергией в непрерывном спектре краевых состояний, обтекающих дефект.

Показана возможность управления спином электронов в одномерной квантовой точке с помощью электрического потенциала, создаваемого зондом сканирующего микроскопа, при наличии слабого внешнего магнитного. Механизм управления спином связан с тем, что своим потенциалом зонд разделяет одномерную квантовую точку на две части и при перемещении зонда происходит переход электронов из одной части в другую. Существенно, что при таких переходах электронов изменяется как спин, локализованный в каждой из частей, так средний квадрат спиновой плотности Sz по всей системе. При четном числе электронов во всей квантовой точке имеются четкие зоны координаты положения зонда x0, в которых Sz имеет достаточно большую величину, а вне их равно Sz нулю, т. е. спиновая плотность отсутствует.

Предложен оригинальный механизм генерации спиновых токов в нормальной двумерной электронной системе с помощью туннельного контакта к двумерному топологическому изолятору, в котором имеются краевые состояния с геликоидальной спиновой структурой. В неравновесных условиях, когда между топологическим изолятором и нормальным проводником приложена разность потенциалов, поток электронов, туннелирующих из топологического изолятора, расщепляется в нормальном проводнике на два потока, направленные параллельно границе раздела в противоположные стороны от контакта, причем каждый из потоков сильно поляризован по спину. Таким образом происходит спиновая фильтрация электронов, при которой в нормальном проводнике возникает спин-поляризованный тока, управляемый приложенным напряжением

Гранты последних лет

РФФИ

• 17-02-00309 «Электронные состояния и коллективные эффекты в квантовых наноструктурах с сильным спин-орбитальным взаимодействием» рук. В. А. Сабликов
• 14-02-00237 «Эффекты электрон-электронного взаимодействия в квантовых наноструктурах с сильным спин-орбитальным взаимодействием» рук. В. А. Сабликов
• 11-02-00337 «Спин-зависимые явления в наноструктрах с квазиодномерными состояниями» рук. В.А. Сабликов
• 08-02-00777 “Квазисвязанные состояния в квантовых контактах”, рук. В.А. Сабликов
• 02-02-16953 “Спиновые эффекты в электронном транспорте в мезоскопических структурах”, рук. В.А. Сабликов
• 05-02-16854 “Спин-зарядовая структура квантовых проволок и квантовых контактов: спонтанное нарушение спиновой симметрии и транспортные эффекты”, рук. В.А. Сабликов

Программы РАН

• Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 32 _«НАНОСТРУКТУРЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, БИОЛОГИЯ, ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЙ» (координатор – академик Ж.И. Алферов), 2018-2020 гг. Проект «Электронные состояния и квантовый транспорт в низкоразмерных электронных системах с нетривиальной топологией»
• Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 1 «НАНОСТРУКТУРЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, БИОЛОГИЯ, ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЙ» (координатор – академик Ж.И. Алферов)
• Программа Президиума РАН П-2 «Актуальные проблемы физики низких температур» (координатор – академик А.Ф. Андреев)
• Программа ОФН РАН "Электронные корреляции в системах с сильным взаимодействием" рук. академик Л.В. Келдыш
• Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 24 «Фундаментальные основы технологий наноструктур и наноматериалов» рук. академик Ж.И. Алферов
• Программа фундаментальных исследований Президиума РАН: «Квантовые мезоскопические и неупорядоченные структуры» (координатор – академик А.Ф. Андреев)
• Программа ОФН РАН : «Сильно коррелированные электроны в твердых телах и структурах» рук. академик Л.В. Келдыш
• Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 27 «Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов» рук. академик Ж.И. Алферов
• Программа фундаментальных исследований ОФН РАН "Сильно коррелированные электроны в твердых телах и структурах" (2008-2011 гг), рук. академик Л.В. Келдыш
• Программа фундаментальных исследований Президиума РАН “Квантовые наноструктуры” (2006-2008 гг),
• Программа фундаментальных исследований ОФН РАН "Новые принципы преобразования энергии в полупроводниковых структурах" (2003-2006 гг), рук. чл.-кор. И.В. Грехов
• Программа фундаментальных исследований ОФН РАН "Сильно коррелированные электроны в полупроводниках, металлах, сверхпроводниках и магнитных материалах" (2003-2006 гг), рук. академик Л.В. Келдыш,

ФЦП

• федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы» по критической технологии «Нанотехнологии и наноматериалы»

ИНТАС

• INTAS Open Call 2001 #0014 “Role of Interaction and Spin in Mesoscopic Electron Transport” 2002-2004

МНТЦ

• Проект МНТЦ #2559. "Получение и исследование физических свойств светоизлучающих наноструктур на основе кремниевых нанопроволок и нанокристаллов" (2004-2006).

Основные публикации

2020

• Vladimir A. Sablikov, “Long-range perturbation of helical edge states by nonmagnetic defects in two-dimensional topological insulators”, Phys. Rev. B 102, issue 7, 075434 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevB.102.075434.; https://arxiv.org/abs/2008.08557
• Bagun S. Shchamkhalova, Vladimir A. Sablikov, “Radiative Decay of Bound Electron Pairs into Unbound Interacting Electrons in 2D Materials with Two‐Band Spectrum” Phys. Status Solidi B, 2000299 (2020), https://doi.org/10.1002/pssb.202000299 ;https://arxiv.org/abs/2008.02864
• Yasha Gindikin and Vladimir A. Sablikov, “Pair spin–orbit interaction in low-dimensional electron systems” Eur. Phys. J. Special Topics 229, No 4, 503–525 (February 2020), doi: 10.1140/epjst/e2019-900086-6 ; https://arxiv.org/abs/1905.06340v3
• Yasha Gindikin, Vitalina Vigdorchik, and Vladimir A. Sablikov, “Bound Electron Pairs Formed by the Spin–Orbit Interaction in 2D Gated Structures” Phys. Status Solidi RRL v.14, No 4, 1900600 (2020), DOI: 10.1002/pssr.201900600 ; published 21 January 2020; https://arxiv.org/abs/1904.09510
• Yasha Gindikin and Vladimir A. Sablikov, Phys. Status Solidi B v.XX, No XX, 202000501 (2020), published: 16 November 2020, DOI: https://doi.org/10.1002/pssb.202000501

2019

• Vladimir A. Sablikov, Bagun S. Shchamkhalova, “Radiative Decay of Bound Electron Pairs in Two‐Dimensional Topological Insulators” Phys. Status Solidi RRL, v. 13, No 11, 1900358 (2019), doi:10.1002/pssr.201900358 , https://arxiv.org/abs/1908.05148
• А.А. Суханов, В.А. Сабликов, «Спиновые состояния электронов в двойной квантовой точке в двумерном топологическом изоляторе со спин-орбитальным взаимодействием», Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, вып. 9, стр. 1257-1262, doi: 10.21883/FTP.2019.09.48134.17 , http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48134.17 ; A. A. Sukhanov and V. A. Sablikov, „On the Spin States of Electrons in a Double Quantum Dot in a Two-Dimensional Topological Insulator with Spin-Orbit Interaction“, Semiconductors, 2019, Vol. 53, No. 9, pp. 1229–1233. DOI: 10.1134/S1063782619090215, https://arxiv.org/abs/1702.02041
• Vladimir A. Sablikov and Yurii Ya. Tkach, “Van Hove scenario of anisotropic transport in a two-dimensional spin-orbit coupled electron gas in an in-plane magnetic field”, Phys. Rev. B 99, issue 3, 035436 (2019). DOI: 10.1103/PhysRevB.99.035436; http://arxiv.org/abs/1901.10823
• Yasha Gindikin, Vladimir A. Sablikov, “Coulomb pairing of electrons in thin films with strong spin-orbit interaction”, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, v. 108 (2019) p. 187–190; doi:10.1016/j.physe.2018.12.028 ; https://arxiv.org/abs/1810.05144

2018

• Yasha Gindikin, Vladimir A. Sablikov, “Spin-orbit-driven electron pairing in two dimensions”, Phys. Rev. B 98, 115137 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevB.98.115137, https://arxiv.org/abs/1805.08216
• Vladimir A. Sablikov and Aleksei A. Sukhanov, “Singlet-triplet transition in double quantum dots in two-dimensional topological insulators”, Phys. Rev. B 98, 115423 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevB.98.115423 , https://arxiv.org/abs/1809.05282
• В.А. Сабликов, Ю.Я. Ткач “Сингулярность плотности состояний и анизотропия транспорта в двумерном электронном газе со спин-орбитальным взаимодействием в параллельном магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, вып. 12, стр. 1477-1481, doi: 10.21883/FTP.2018.12.46760.40 ; V. A. Sablikov and Yu. Ya. Tkach, “Singularity of the Density of States and Transport Anisotropy in a Two-Dimensional Electron Gas with Spin-Orbit Interaction in an In-Plane Magnetic Field” Semiconductors, 2018, Vol. 52, No. 12, pp. 1581–1585. DOI: 10.1134/S1063782618120199, https://arxiv.org/abs/1701.01987
• Yasha Gindikin, Vladimir A. Sablikov, «The Spin–Orbit Mechanism of Electron Pairing in Quantum Wires», Phys. Status Solidi RRL 12, No 9, 1800209 (2018), DOI: 10.1002/pssr.201800209; https://arxiv.org/abs/1804.10826
• Yasha Gindikin, Vladimir A. Sablikov, «Dynamics of one-dimensional electrons with broken spin-charge separation», Phys. Status Solidi RRL 12, No 1, 1700313 (2018), DOI: 10.1002/pssr.201700313; https://arxiv.org/abs/1707.00316

2017

• Vladimir A. Sablikov, “Two-body problem for two-dimensional electrons in the Bernervig-Hughes-Zhang model”, Phys. Rev. B 95, 085417 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevB.95.085417 ; https://arxiv.org/abs/1702.02041
• Yasha Gindikin and Vladimir A. Sablikov, “Image-potential-induced spin-orbit interaction in one-dimensional electron systems”, Physical Review B 95, 045138 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevB.95.045138 , https://arxiv.org/abs/1701.01987
• Aleksei A. Sukhanov «Electrically controlled crossing of energy levels in quantum dots in two-dimensional topological insulators» Physica B 513, 1–6 (2017); https://arxiv.org/abs/1704.08058.
• Yasha Gindikin, “Dynamic transport in a quantum wire driven by spin-orbit interaction” Phys. Status Solidi RRL 11, No 12, 1700256 (2017), https://doi.org/10.1002/pssr.201700256.

2016

• Vladimir A. Sablikov and Aleksei A. Sukhanov, “Optical transitions in two-dimensional topological insulators with point defects”, Physica B: Condensed Matter 503 (2016) 1–6, doi: http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2016.09.008
• Ю. Я. Ткач «Управляемые сингулярности Ван Хова и намагниченность в двумерном электронном газе со спин-орбитальным взаимодействием в параллельном магнитном поле» Письма в ЖЭТФ, том 104, вып. 2, с. 103 – 107 (2016).

2015

• Yasha Gindikin and Vladimir A. Sablikov, “Probe-assisted spin manipulation in one-dimensional quantum dots”, Phys. Status Solidi RRL 9, No. 6, 366–370 (2015) / DOI: 10.1002/pssr.201510074 , http://arxiv.org/abs/1412.5640.
• Vladimir A. Sablikov and Aleksei A. Sukhanov, “Helical bound states in the continuum of the edge states in two dimensional topological insulators”, Physics Letters A 379 (2015) 1775–1779, doi:10.1016/j.physleta.2015.05.005 , http://arxiv.org/abs/1505.01119 .
• Vladimir A. Sablikov and Aleksei A. Sukhanov, «Electronic states induced by nonmagnetic defects in two-dimensional topological insulators», Physical Review B 91, 075412 (2015), DOI: 10.1103/PhysRevB.91.075412 , http://arxiv.org/abs/1502.03718.

2014

• Vladimir A. Sablikov and Aleksei A. Sukhanov, «Non-magnetic defects in the bulk of two-dimensional topological insulators», Phys. Status Solidi RRL 8, No. 10, 853– 856 (2014) / DOI 10.1002/pssr.201409284 ; http://arxiv.org/abs/1408.2629.
• Vladimir A. Sablikov, Bagun S. Shchamkhalova, «Metastable and spin-polarized states in electron systems with localized electron–electron interaction» Physica E 59, 75–82 (2014), http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2013.12.021; http://arxiv.org/abs/1312.6986

2013

• В.А. Сабликов, «Метастабильные состояния — возможный механизм аномалий кондактанса мезоскопических структур» Физика и техника полупроводников, том 47, вып. 11, 1476-1480 (2013). V.A. Sablikov «Metastable-state formation as a possible mechanism for the conductance anomalies in mesoscopic structures» Semiconductors, 2013, v. 47, Issue 11, pp 1465-1469, DOI:10.1134/S1063782613110195
• А.А. Суханов, В.А. Сабликов, «Спин-поляризованные токи в туннельном контакте нормального проводника и двумерного топологического изолятора» Физика и техника полупроводников, том 47, вып. 11, 1467-1471 (2013). A. A. Sukhanov, V. A. Sablikov, «Spin-polarized currents in the tunnel contact of a normal conductor and a two-dimensional topological insulator» Semiconductors, 2013, v. 47, Issue 11, pp 1456-1460, DOI: 10.1134/S1063782613110213

2012

• Aleksei A Sukhanov and Vladimir A Sablikov, “Spin current in an electron waveguide tunnel-coupled to a topological insulator”, J. Phys.: Condens. Matter 24 No 40 (2012) 405301 (6pp); http://arxiv.org/abs/1209.1287.
• В.А. Сабликов, “Физические проблемы микро- и наноэлектроники: исследования в ФИРЭ РАН” в сб. «Фрязинская школа электроники» , под ред. А.А. Борисова – М.: Янус-К, 2012, с. 383-412.

2011 и раньше

• Aleksei A Sukhanov and Vladimir A Sablikov, “Interface states in two-dimensional electron systems with spin–orbital interaction”, J. Phys.: Condens. Matter 23 (2011) 395601 (8pp); http://arxiv.org/abs/1109.4263.
• Yasha Gindikin and Vladimir A Sablikov, “Electron–electron interaction effect on the singlet–triplet transitions in one-dimensional quantum dots”, J. Phys.: Condens. Matter 23 (2011) 175601 (4pp).
• Vladimir A. Sablikov, “Spin-current quantization in a quantum point contact with spin-orbit interaction”, Physical Review B 82, No.11, 115301 (9pp) (2010); http://arxiv.org/abs/1008.4491
• A. V. Butenko, V. Sandomirsky, G. Chaniel, B. Shapiro, Y. Schlesinger, A. Jarov, and V. A. Sablikov “Thermal wave induced edge electrical field of pyroelectric: Spatial pattern mapping and effect of ambient conditions”, J. Appl. Phys. 108, 044106 (5pp) (2010). http://arxiv.org/abs/0910.1997
• В.А. Сабликов и А.А. Суханов, «Краевые спиновые токи в двумерном электронном газе со спин-орбитальным взаимодействием», Известия РАН. серия физическая, том 74, № 1, с. 15–18 (2010)
• Yurii Ya. Tkach, Vladimir A. Sablikov and Aleksei A. Sukhanov, “Spin polarization of electron current through a potential barrier in two-dimensional structures with spin–orbit interaction” Journal of Physics: Condensed Matter, v. 21, No 12, 125801 (6pp) (2009). http://arXiv.org/abs/0902.0596.
• Aleksei A Sukhanov, Vladimir A Sablikov and Yurii Ya Tkach “Spin currents in a normal two-dimensional electron gas in contact with a spin–orbit interaction region” J. Phys.: Condens. Matter, v. 21 No 37, 375801 (7pp) (2009). http://arXiv.org/abs/0908.2099 .
• Vladimir A. Sablikov, Aleksei A. Sukhanov, and Yurii Ya. Tkach, “Equilibrium edge spin currents in two-dimensional electron systems with spin-orbit interaction”, Physical Review B, v. 78, No 15, 153302 (4 pp)(2008). http://arXiv.org/abs/0809.5044 .
• В.Г. Бару, И.Н. Дюжиков, О.М. Жигалина, В.И. Покалякин, Е.А. Скрылева, “Получение и исследование светоизлучающих кремниевых наноструктур на основе композитных слоев SiOxNy(Si)”. Известия вузов. Материалы электронной техники, №1, С.65 (2008)
• V.A. Sablikov and Yu.Ya. Tkach “Evanescent states in 2D electron systems with spin-orbit interaction and spin-dependent transmission through a barrier” Physical Review B, v. 76, No 24, 245321 (9 pp) (2007). http://arXiv.org/abs/0710.2689.
• B.S. Shchamkhalova and V.A. Sablikov “Mechanism of electron localization in a quantum wire”, Journal of Physics: Condensed Matter, 19, No 15, 156221 (7pp) (2007), http://arXiv.org/abs/cond-mat/0703246.
• Yasha Gindikin and V. A. Sablikov “Deformed Wigner crystal in a one-dimensional quantum dot”, Physical Review B 76, No 4, 045122 (10 pp) (2007), http://arXiv.org/abs/cond-mat/0704.1445.
• Я.В. Гиндикин, В.А. Сабликов “Сильно коррелированное состояние электронов в одномерных квантовых точках” Радиотехника и электроника, т. 52, № 6, с. 734-742 (2007); перевод: Ya. V. Gindikin and V. A. Sablikov, “A strongly correlated electron state at one-dimensional quantum points” Journal of Communications Technology and Electronics, (ISSN1064-2269) Volume 52, Number 6 / June, 2007, pp. 684-692.
• В.А. Сабликов, “Межподзонное взаимодействие электронов в переходах между одномерной и двумерной системами”, Письма в ЖЭТФ, т.84, №7, с. 480-484 (2006). http://arXiv.org/abs/cond-mat/0611619
• З.Д. Квон, Е.А. Галактионов, В.А. Сабликов, А.К. Савченко, Д.А. Щеглов, А.В. Латышев, “Новый режим резонансов обратного рассеяния в квантовом интерферометре малых размеров”, Письма в ЖЭТФ, т.83, №10, с. 530-533 (2006).
• В.Г. Бару, В.А. Житов, Л.Ю. Захаров, А.Н. Изотов, В.И. Покалякин, Г.В. Степанов, О.Ф. Шевченко, Э.А. Штейнман, “Механизмы электролюминесценции в кремниевых наноструктурах на основе композитных слоев SiOxNy(Si)”. Микроэлектроника. т.35. №2, с.95 (2006)
• В.А. Сабликов, В.И. Борисов, А.И. Чмиль “Эффект выпрямления в квантовом контакте”, Письма в ЖЭТФ, т.81, вып. 2, с. 83-87 (2005).
• B.S. Shchamkhalova, V.A. Sablikov, “Potential landscape of a biased quantum wire”, Physica E, v.27, 51-61 (2005).
• В.Г. Бару, С. Бэйлис, В.А. Житов, Л.Ю. Захаров, Г. Картопу, В.И. Покалякин, А. Сапелкин, Г.В. Степанов, А.А. Тимофеев, О.Ф. Шевченко, “Cтруктурные и люминесцентные свойства нанокомпозитных слоев SiOxNy(Si)”. Микроэлектроника. т.34. №5, с.350 (2005)
• V.G. Baru, I.N. Dyuzhikov, V.I. Pokalyakin, O.F. Shevchenko, E.A. Skryleva, O.M. Zhigalina. “Composition, structure and luminescent properties of composite layers SiOxNy(Si) containing nanocrystals”, http://arXiv.org/abs/cond-mat/0511602
• В.А. Сабликов, С.В. Поляков “Спонтанная спиновая поляризация и электронные корреляции в мезоскопических квантовых проводах” Известия РАН, сер. физическая, т.68, №1, 39-41 (2004).
• З. Д. Квон, В. А. Ткаченко, А. Е. Плотников, В. А. Сабликов, В. Рено, Ж. К. Портал “О кондактансе многоконтактной баллистической проволоки”, Письма в ЖЭТФ, т. 79, вып. 1, с. 42-45 (2004)
• V.A. Sablikov and B.S. Shchamkhalova “Piled up charge effects in a ballistic transport in quantum wires”, Physica E, v.17, 189-190 (2003).
• Y. Gindikin and V.A. Sablikov “Collective charge modes in a 1D electron liquid”, Physica E, v.18, 354-355 (2003).
• V.A. Sablikov and S.V. Polyakov “Spin-charge structure of and conductance of mesoscopic quantum wires”, Int. Journal of Nanoscience, v.2, No 6, 487-494 (2003).
• Yasha Gindikin and V. A. Sablikov, “Dynamic correlations of the spinless Coulomb Luttinger liquid”, Phys. Rev. B, 65, No 19, 125109 (2002); http://arXiv.org/abs/cond-mat/0108116.
• Yasha Gindikin and V.A. Sablikov “Effect of Coulomb Interaction on the Spectral Function of a 1D Electron Liquid” Phys. Low-Dim. Structures Vols. 9/10 (2002) pp.71 – 74.
• Yasha Gindikin and V.A. Sablikov “A Soft Mode in a One-Dimensional Electron Liquid” Phys. Low-Dim. Structures Vols. 11/12 (2001) pp.179 – 186.
• B.S. Shchamkhalova and V.A. Sablikov “Electric Charge and Potential in a Ballistic Quantum Wire” Phys. Low-Dim. Structures Vols. 11/12 (2001) pp.287 – 294.
• В.А. Сабликов, “Электронный транспорт в квантовых проводах: возможные механизмы электрической неустойчивости ” Известия РАН, сер. физическая, т.65, №2, 237-240 (2001).
• K.S. Novoselov, Yu.V. Dubrovskii, V.A. Sablikov, D.Yu. Ivanov, E.E. Vdovin, Yu.N. Khanin, V.A. Tulin, D. Esteve, S. Beamont. “The nonlinear electron transport in normally pinched-off quantum wires” Europhysics Letters, v. 52, No 6, pp. 660-665 (2000); http://arXiv.org/abs/cond-mat/0003509.
• V.I. Borisov, V.A. Sablikov, A.I. Chmil’, I.V. Borisova “Origin of current instability in GaAs/AlGaAs heterostructures” Physica E, v.8, No 4, pp. 376-386 (2000)
• D.Yu. Ivanov, K.S. Novoselov, Yu.V. Dubrovskii, V.A. Sablikov, E.E. Vdovin, Yu.N. Khanin, V.A. Tulin, D. Esteve, S. Beamont. “Nonlinear electron transport in quantum wires”. Phys. Low-Dim. Struct. 3/4 (2000) pp.55-65.
• V.A. Sablikov and Yasha Gindikin, “Effect of short-range electron correlations in dynamic transport in a Luttinger liquid”, Phys. Rev. B, 61, No 19, 12766-12771 (2000); http://arXiv.org/abs/cond-mat/9909075.
• V.A. Sablikov, S.V. Polyakov and M. Büttiker, “Charging effects in a quantum wire with leads”, Phys. Rev. B, 61, No 20, 13763-13773 (2000); http://arXiv.org/abs/cond-mat/9908395
• V.A. Sablikov and B.S. Shchamkhalova, “Dynamic Transport of Interacting Electrons in a Mesoscopic Quantum Wire” Journal of Low-Temperature Physics, vol. 118, no. 5/6, 485-494 (2000).

Лаборатория основана В.Б. Сандомирским в 1968 г. В лаборатории выполнены пионерские работы по квантовому размерному эффекту, электронным фазовым переходам и явлениям неустойчивости в полупроводниках и сверхпроводниках, магнито-плазменным волнам в низкоразмерных структурах, фотоакустическим и термоволновым явлениям в полупроводниках.